网友提问：
微信网友@想太多先生：：这两天看有媒体说iPhone 6 Plus可能会被大面积回收，真的是这样吗?
产品家回答：
本期产品家：朱羽寒（凤凰网数码频道编辑&《产品家》栏目策划）
iPhone 6 Plus并不存在报道中所述的问题，说召回更是子虚乌有的事情。这回“港媒”真心干了回比央视还不靠谱的事儿。
iPhone 6 Plus用的真是TLC？
秉承《产品家》一贯刨根问底的精神，笔者还是决定先了解一下iPhone 6 Plus所用的闪存芯片。从之前iPhone 6 Plus的拆解中，我们可以看到其所用的闪存芯片规格：海力士H2JTDG8UD1BMS。
iPhone 6 Plus采用的海力士H2JTDG8UD1BMS闪存芯片
这块记忆体属于iPhone 6 Plus专属型号，所以外界对它的分析比较少。不过笔者还是在Techinsight网站上找到了它的详细数据：16nm制程，MLC存储单元。这项资料基于扫描电子显微镜（SEM）和投射电子显微镜（TEM）等设备的观测结果给出，可以算是相当权威了。
由此我们认为，报道对iPhone 6 Plus的描述是完全失实的，其存储芯片采用的并非三阶单元（TLC），而是多层单元（MLC），与iPhone 5s所采用海力士H2JTDG8UD3MBR一致。然后，苹果要为了这个大面积召回iPhone 6 Plus？我读书少不要骗我……
另外，美国科技博客网站9to5mac也援引知情人士的说法，认为此类报道是完全粗偶的。用户安装大量应用（500到1000个）而导致系统崩溃，这早在iOS 6时代就偶有发生，苹果已经意识到这个漏洞，但没有任何说法能证明它确实和TLC NAND存储器有关。
就算用了TLC又能咋地？
目前市面上的闪存主要采用SLC（单层存储单元）、MLC（多层存储单元）和TLC（三阶存储单元）三种技术，在读写寿命和成本方面三者依次递减，但它们都是非常成熟的技术，因此数码厂商会根据自家产品的定位和成本决定要用哪种存储单元。TLC每32GB成本约为9-12美元，比SLC的30-35美元和MLC的17美元都要低上不少，而TLC读写寿命约为5000次，是三者之中最低的。那么即使iPhone 6 Plus想钱想疯了，硬要配上一个TLC芯片，就真的会出现稳定度差、寿命不足的问题吗？
这里要再次强调一下大家在理解上的一个误区，所谓“XXX次读写寿命”并非指简单的读一次、写一次，而是把整个存储单元进行一次全盘读写一遍才算做一次。举个例子，一块128GB的TLC记忆体，完全读写128GB的数据后，才算消耗了1次寿命，如此的步骤重复5000次，你才有可能把它玩坏，简单地读写1KB、2KB，那种程度连0.001次都算不上。存储容量越大，TLC的寿命就越长。大家可以把它放到实际使用场景中计算一下，在iPhone 10出现之前你根本不可能玩坏它的。
再者，存储的稳定性和存储单元用SLC、MLC还是TLC扯不上半毛钱的关系，关键还得看闪存颗粒和主控IC的质量，你就算说iPhone 6 Plus可能存在稳定性问题，也不能把责任推卸给TLC。在固态硬盘领域，包括三星840 EVO（500GB）等部分型号在内的很多SSD都在采用TLC单元，这些产品不仅具备很高的可靠性，而且在读写速度方面也不会和MLC拉开明显的差距。
如此看来，那篇报道似乎无论如何都说不通，苹果大面积回收？别闹了。事儿再大有“弯曲门”大么？那时苹果大面积回收了么？
